Ѵ�ڹ�����5篇

Ѵ�ڹ�����5篇Ѵ�ڹ�����　原始条件：一叉车厂，占地面积为16000平方米，厂区南北长200米，东西宽80米，该厂有员工300人，计划改建成年产60000套液压转下面是小编为大家整理的Ѵ�ڹ�����5篇,供大家参考。

篇一：Ѵ�ڹ�����

条件：一叉车厂， 占地面积为1 6000平方米， 厂区南北长200米， 东西宽80米， 该厂有员工300人， 计划改建成年产60000套液压转向器的生产厂。案例：

　某液压转向器厂的设施布置案例：

　某液压转向器厂的设施布置公路北比例：

　1：

　2000

　序号 作业单位名称 用途 建筑面积 备注 1 原材料库 储存钢材、 铸锭 20*30 露天 2 铸造车间 铸造 12*24

　3 热处理车间 热处理 12*12

　4 机加工车间 车、 铣、 钻 12*36

　5 精密车间 精镗、 磨销 12*36

　标准件 半成 库标准件、 半成品库储存外构件 半成储存外构件、 半成品 示例一：

　液压转向器厂的作业单位建筑物汇总表6 12*247 组装车间 组装转向器 12*36

　8 性能试验室 转向器性能检验 12*12

　9 成品库 成品储存 12*12

　10 办公、 服务楼 办公、 食堂等 80*60

　11 设备维修车间 机床维修 12*24

　一、 阶段结构一、 阶段结构系统布置设计采用四个阶段进行， 称为“布置设计四阶段” 。Ⅰ 确定位置:工厂的总体位置Ⅱ 总体区分：

　初步规划基本物流模式和总体布局阶段Ⅲ详细布置：

　确定各作业单位的具体位置Ⅳ实施：

　编制施工计划， 进行施工安装时间

　二、 程序模式二、 程序模式分析输入原始数据（P、 Q、 R、 S、 T）1、 物流2、 作业单位的相互关系3、 物流—作业单位相互关系图4、 必要面积5、 可用面积66、 面积相互关系图面积相互关系图选择寻优9、 拟定几种布置方案10、 评价7、 修正条件8、 实际制约系统布置设计程序模式

　具体思路具体思路一、 液压转向器加工工艺从至表一、 液压转向器加工工艺从至表二、 作业单位相互关系分析三作业单位位置相互关系分析三、 作业单位位置相互关系分析四、 面积的确定五、 布置修正六、 布置方案的评价与选择-4-

　一、 液压转一、 液压转向器加工工向器加工工艺从至表艺从至表共 1 页生产部门：

　液压转向器 主 要 产 品 ：1 、 连 接 块 组 件 A

　 2 、 前 盖 B

　 3 、 挡 环 C

　 4 、 滑 环 D

　5 、 联 动 器 E

　 6 、 阀 体 F

　 7 、 阀 心 G

　 8 、 阀 套 H

　 9 、 隔 盘 I 10、 限位柱 J

　 11、 锭子 K

　12、 转子 L

　 13、 后盖 M

　 14、 外购件 N 第 1 页1 2 3 4 5 6 7 8 9 从

　 至 原材料库 铸造车间 热处理车间 机加工车间 精密车间半成品库组装车间性能实验室 成品库

　合

　计 1 原材料 库

　1229.82 197.4 238.578

　1665.798 2 铸造 车间

　737.88

　737.883 热处理 车间

　197.394 146.058

　 343.45244 机加工 机加工146.5146.5540.1540.1109.8109.8649.968649.968已知：作业单位的基作业单位的基本区划和零部件加工工艺过程， 并通过工艺过程图统计出了 各作业单位的物流强度， 结果添入从至表。车间

　 8

　68

　5 精密 车间

　634.8

　 634.8 6 半成 品库

　 767.08

　 767.087 组装 车间

　767.08 153.416 920.4968 性能 实验室

　 153.4 611.52 764.9369 成品 库

　 合计

　1229.82 343.452 1173.85 686.226 744.6920.496 767.08 764.936 6484.41编制（ 日 期）

　审核（ 日 期）

　二、二、作业单位相互关系分析作业单位相互关系分析设施布置设计要根据部门之间在工艺流程如业务往来中的密切程度， 决定相互位置。

　各部门（作业单位）

　之间存在着物流关系、 非物流关系两种关系。

　物流关系可以用物流强度来表示两个作业单位之间的关系密切程度， 非物流关系无法定量表示， 只能通过定性分析加以区分。

　1、 作业单位物流相关表的绘制（1）

　划分物流强度等级——由于直接分析大量物流数据比较困难， 而且也没必要， 因此， SLP中将物流强度转化为5个等级，分别用符号A、 E、 I、 O、 U表示。当产品品种少时用工艺过程图进行物流分析； 产品品种多时，用从至表或多工艺过程表对实际设施间的物流量进行统计。物流强度等级划分表物流强度等级划分表

　物流强度等级 符号 物流路线比例（%）

　承担物流量比例 （%）超高物流强度 A（4）

　10 40 特高物流强度 E（3）

　20 30 较大物流强度 I（2）

　30 20 一般物流强度 O（1）

　40 10 可忽略搬运 U（0）

　液压转向器物流强度分析表（由从至表得出）物流强度分析表 序 号 作业单位对 （ 路线）

　物

　流

　强

　度（ 单位：

　t）

　150

　 300

　 450

　 600

　 750

　 900

　 1050

　 1200物流强度等级 1 1-2

　A 2 7-8

　A 3 6-7

　E 44 2-42-4 EE5 5-6

　E 6 8-9

　E 7 4-5

　I 8 3-4

　I 9 1-4

　I 10 1-3

　I 11 7-9

　O 13 3-5

　O 15 4-6

　O

　（2）

　构造作业物流相关表（示例）

　作业单位名 称 原 材料库 铸造车间

　热处理车间

　机加 工车间

　精密 车间精密 车间

　OOOI I EI I AUUUUUUUUUUUUUUU设备维修车间

　半成品 库 组装车间

　性能实验室 成品 库 办公、 服务楼 UUUUOEEEAUUUUUUUUUUUUUUUUUUUUUUUUUU

　2、 作业单位非物流相互关系表的构造：基本思路——根据经验确定作业单位非物流相互关系密切程度后， 利用与物流相关表相同的表格形式， 建立非物流相互关系表。通常可以从以下几个方面加以考虑：(1)工作流程(4)使用场地情况(7)联系频繁程度(9)公用设施相同(2)作业性质(5)监督和管理（8）

　躁声、 振动(1 0)文件信息往来情况(3)使用设备情况(6)安全、 卫生

　符 号

　含 义

　说 明

　比 例 （ % ）

　A

　绝 对 重 要

　 2 ~ 5

　E

　特 别 重 要

　 3 ~ 1 0

　I 重 要

　 5 ~ 1 5

　O

　一 般 重 要

　 1 0 ~ 2 5

　U

　不 重 要

　 4 5 ~ 8 0

　X

　负 的 密 切 程 度

　不 希 望 接 近

　酌 情 而 定

　 （1）

　确定作业单位相互关系等级编 号

　理 由

　1

　工 作 流 程 的 连 续 性

　2

　生 产 服 务

　3

　物 料 搬 运

　4

　管 理 方 便

　5

　安 全 与 污 染

　6

　振 动 、噪 音 、烟 尘

　7

　人 员 联 系

　 （2）

　列出作业单位相互关系密切理由（示例）

　 I/1I/1UU作业单位名称 原材料库 铸造车间 热处理车间 机加工车间 UI/1E/1I/3I/3A/3UUUUUX/6UU（3）

　建立非物流作业单位相互关系表（示例）E/4 O/4 UU设备维修车间 精密车间 半成品库 组装车间 性能实验室 成品库 办公、 服务楼 UUI/3 UUE/1 2E/3I/3A/1UUUUE/4UUO/4 X/6 UUI/3UX/6 UUUI/2 UUX/6X/6I/1I/2 I/2 I/2 I/2

　3、 建立作业单位综合相互关系表：工厂中， 作业单位之间物流相互关系与非物流相互关系往往并不一致， 为了确定各作业单位之间综合相互关系密切程度， 须将两个表进行合并。

　求出合成的相互关系——综合作业相互关系， 然后从各作业单位之间的综合相互关系出发， 实现各作业单位的合理布置。（1 ）

　确定物流（m）

　与非物流（n）

　相互关系的相对重要性（加权取值）

　——一般地m:n不应超过1 ：

　3或3：1当比值大于31 时说明物流关系占主导地位1 ， 当比值大于3：

　1 时， 说明物流关系占主导地位， 工厂布置时只需考虑物流相互关系的影响。（2）

　综合相互关系计算——根据作业单位对之间物流与非物流关系等级的高低进行量化， 并加权求和， 求出综合相互关系。（3）

　综合相互关系的等级划分——综合计算得出的是量值， 须经过等级划分， 才能建立与物流相互关系表相似的综合相互关系表。工

　示例：

　液压转向器作业单位综合相互关系计算表关系等级 物流关系

　加权值：

　1 非物流关系 加权值：

　1 综合关系 作 业 单 位对 分数 等级 分数 等级 分数 等级 1-2 A 4 A 4 8 A 1-3 I 2 I 2 4 I 1-4 I 2 I 2 4 I 1-5 U 0 U 0 0 U 1-6 U 0 U 0 0 U … …

　… …

　示例中须计算55对作业单位， 计算分数在1—8之间， 由此得综合相互等级划分表如下：总分 关系等级 作业单位对数 比例（%）

　8 A（绝对重要）

　2 3.64 5~7 E（特别重要）

　4 7.27 3~4 I（重要）

　7 12.73 1~2 O（一般）

　11 20.0 0 U（不重要）

　26 47.3 -1 X（不希望）

　5 9.1

　建立作业单位综合相互关系表（示例）

　作业单位名称 原材料库 铸造车间 热处理车间 机加工车间 OIII EI I AUUUXUUUUU设备维修车间 精密车间 半成品库 组装车间 性能实验室 成品库 办公、 服务楼 UUOUOEEI EAOUUUUUUIOUIOUOXUUUOOOXUXUUXUOUU

　三、 作业单位位置相互关系分析三、 作业单位位置相互关系分析在SLP中， 设施布置并不直接去考虑各作业单位的占地面积和几何形状， 而是从作业单位间相互关系密切程度出发， 安排各作业单位之间的相对位置， 关系密切等级高的作业单位之间距离近，等级低的距离远。问题：作业单位间必然会出现密切等级相同的作业单位对， 这会给位置分析造成困难。

　怎么办？引入综合接近程度的概念——某一作业单位综合接近程度等于该作业单位与其他所有作业单位间量化后的关系密切等级之和。综合接近程度值的高低反映了该作业单位在布置图中是应该处于中心位置还是处于边缘位置。

　作业单 位代号 1 （原材料库）2 （铸造车间）3 （热处理）4 （机加工）5（精密车间）

　6 （标准件库）

　7 （组装车间）8 （试验室）9 （成品库）10（办公楼）11（维修车间）1

　A/4I/2 I/2 U/0 U U U U U U 2 A/4 U E/3X/ （-1）

　U U X U X O 3 I/2 U

　I O/1 U U X U X O 44 I/2I/2E/3E/3I/2I/2E/3E/3 I/2I/2 UUUUUUOOOO1、 如何计算综合接近程度：将作业单位综合相互关系表变换成类似于从至表一样的三角矩阵， 然后量化关系等级。示例：

　液压转向器综合接近程度排接近程度排序表5 U/0X O/1E

　E U U U O O 6 U/0U U I E

　A U U U U 7 U/0U U U U A

　A O I O 8 U/0X X U U U A

　E I U 9 U/0U U U U U O E

　O U 10 U/0X X O O U I I O

　O 11 U/0O O O O U O U U O

　综合接近程度 8 5 4 14 8 9 12 7 5 6 6 排序 5 9 4 1 4 3 2 6 10 7 8

　2、 如何绘制作业单位位置相关图：第一步——处理关系密级为A的作业单位对。按各作业单位综合接近程度的高低排序， 找出综合接近程度最高的布置在中心位置； 依次处理作业单位对。第二步——处理关系密级为E的作业对。……最后重点调整X级作业单位对的相互位置示例（1）

　找出综合接近程度最高的作业单位示例（1）

　找出综合接近程度最高的作业单位， 是4（机加工车间）

　， 将其布置在中心位置；（2）

　找出A级作业对：

　1——2， 7——8， 其综合接近分值排序为7、 1、 8、2， 因7和4关系为U， 故考虑1和4关系为I， 由此画出A级关系位置图。……12是4（机加工车间）将其布置4786

　 3 3 111 2 4 示例：

　液压转向器作业单位位置相关图10 567 8 9

　四、 面积的确定四、 面积的确定一般来说， 需要的面积常常受到实际条件的限制， 必须进行适当的调整， 使之与可用面积相适应。

　调整的方式，可以是压缩某些不很重要的面积、 也可以进行新的组合。此外， 做面积相关图时需考虑流动模式的选择。

　五、 布置修正五、 布置修正所谓修正条件， 是指诸如运输方式、 贮存设备、 场地环境、 人的要求、 厂房特性、 辅助设施和管理控制等具体因素。例：

　精密车间应远离锻造车间铸造车间应处在背风之处铸造车间应处在背风之处

　布置方案的评分示例：

　1 22 3 4 5 评价因素 增产可能性 生产率生产率 操作者的效率 地面面积的节约 进度管理的难易 …… 合计 重要度5 10103 5 10 …… 100 现状 2 10 2 101 5151. 5 15 22 6 5 152 10 3 151 10 3 30

　177. 5 方案 A 方案 B 4 20 2 52. 53 2 10 2 20

　275 2202025259 六、 布置方案的评价与选择六、 布置方案的评价与选择……

　224

　2、 经济因素评价：对于各种布置方案， 可以通过工程经济分析， 评价其节省费用、投资额及投资回报期等， 作为比较选择的基准。

　至于比较哪些指标最好， 没有统一的标准， 需要具体情况具体分析。布置方案的投资回收期计算示例如下：

　方案A 方案B机器搬移费用（含停产损失）

　50000 20000 添购新设备费用 58000 23000 一年的节省费用 60000 30000 投资回收期（年）

　（50+58）

　/60=1. 8 （20+23）

　/30=1. 43

　 1 2 4 5 7 10 11 北 公

　路 绿地 停车场 废料场 厕所

　 绿地绿地喷水池

　花坛 绿地 3 6 89 公

　路 车库 液压转向器厂总平面图 比例

　 1：

　1000

篇二：Ѵ�ڹ�����

章

　静电场

　本章主要介绍静电场的部分求解方法。

　由于静电场的基本方程是矢量方程， 直接求解较困难， 因此一般都采用引入电势进行求解。

　本章首先引进静电场的标量势函数——电势并讨论电势的一些基本特性。

　然后讨论静电势方程的几种求解方法——分离变量法、 镜象法、 格林函数法以及电荷在小区域分布时的近似求解方法。

　§1 静电势及其微分方程 一、 静电场的标势 1． 静电势的引入 因为静电场为无旋场， 即0E， 所以可以引入标量函数 ， 引入标量函数后 E

　) 0(E

　 ——静电场标势（简称电势）。

　 ①  的选择不唯一， 相差一个常数， 只要知道 即可确定 E

　② 取负号是为了与电磁学讨论一致

　③  满足迭加原理21 ()2121221121EEEEE  电势差：

　空间某点电势无物理意义， 只有两点间的电势差才有意义  选空间有限两点 QPE dl ∵l d 为电场力将单位正电荷从 P 移到 Q 点所做功负值 El ddQP  ∴ QP ① 电场力作正功， 电势下降 )(PQ 电场力作负功， 电势上升 )(PQ

　② 两点电势差与做功的路径无关 (0)LE dl与等势面垂直， 即 等势面：

　该面上电势处处相等（ EnE处处成立）

　参考点：

　（1）

　电荷分布在有限区域， 通常选无穷远为电势参考点

　)(0Q

　 PE dl P P 点电势为将单位正电荷从 P 移到∞电场力所做的功。

　Q C2 C1 0 E E E

　（2）

　电荷分布在无限区域不能选无穷远点作为零电势参考点， 否则积分将无穷大。

　 电荷分布在有限区域时的几种情况的电势 （1）

　点电荷

　 32 P P000( )P444QrQdrQdlrrr （2）

　电荷组 iniirQP104)( （3）

　无限大均匀线性介质中点电荷 rQ4 （Q 为自由电荷）

　Q 产生的电势 rQff04，

　PQ

　产生的电势 rQPP04 rQrQQfPfPf440)) 1((0fPQQ （4）

　连续电荷分布所产生的电势

　V0( )x dV( )P4r，

　选取无穷远处为零电势参考点。

　在实际问题中， 电荷分布与电场是一对矛盾体， 相互制(x一般无法预先知道。

　有导体时静电场产生的物理过约)程：

　给定00)(Ex作用于导体→ 自由电子移动 →)(0x变化为)(x → 平衡后为 E。

　若导体不带电， 在静电场中也会出现感应电荷， 但导体上总电量仍然为零。

　二、 静电势的微分方程和边值关系 1．  满足的方程  泊松方程：2

　 其中  仅为自由电荷分布， 适用于均匀各向同性线性介质。

　,2E 导出过程：

　DEED 

　

　 2 拉普拉斯方程：20

　 （适用于0的区域 ）。

　2． 边值关系 (1) 两种介质交界面处边值关系 SSSSnn112221 P rO xx （S 为分界面）

　（ n 由 1→2）

　证明：

　（a）SS21 P→Q 积分为零， 所以 QPPQl dEQP 即SS21。

　（b）SSnn1122 （ 为自由面电荷分布）

　由)(12DDnnnDD12

　nnEE1122 ∵nEn

　∴2121SSnn 

　（2）

　静电平衡条件下导体的性质 （3）

　导体表面上的边值关系 由于导体表面为等势面， 因此在导体表面上电势为一常数。

　将介质情况下的边值关系用到介质与导体的分界面上， 并考虑导体内部电场为零， 则可以得到第二个边值关系：

　, , QnSSSSSconstEdSdSnn   三、 静电场的能量 1． 能量密度：DEw21均匀各向同性线性介质）

　 总能量：

　 )(21VdVDEW 2. 若已知, 总能量为

　V12WdV， 但21不代表能量密度。

　导出过程：)()(DDDDDE

　 11()22WdVD dV ∵ S ()D dVD dS，221/ ,

　1/rD ,

　dSrr ∴ S 1/ , r r, 0, ()/2D dSD dSWdV 该公式只适合于静电场情况， 能量不仅分布在电荷区， 而且存在于整个场空间中。

　例题 (教材 P55~56)

　§2

　唯一性定理 一、 泊松方程和边界条件 假定所研究的区域为 V， 在一般情况下 V 内可以有多种介质或导体， 对于每一种介质是各向同性线性均匀介质。

　设 V 内所求电势为 ， 它们满足泊松方程 2/

　(1, 2,,)iim   泊松方程或拉普拉斯方程（0区域）

　的解有多种形式， 要确定且唯一确定 V 内电场， 必须给出边界条件。

　数学上称为定解问题：

　一般边界条件有两类：为已知， 若是导体要给定总电荷 Q。

　它相当于 ① 边界 S 上，S为已知， 若为导体S= 常数为已知。

　② 边界 S 上，SnSn给定 （SQdSn  ）。

　内边界条件由

　ijijSjSi 边值关系给出：

　ijijSiiSjjnn

　 法线方向 n，ji  在实际问题中， 因为导体内场强为零， 可以不包含在所求区域 V 内。

　导体上下边界条件为外边界条件。

　对于 V 内两介质分界面上ijijSiiSjjnn。

　二、 唯一性定理 1． 均匀单一介质 当区域内  分布已知，  满足2， 若 V 边界上S已知， 或 V 边界上Sn已知， 则 V 内场（静电场）

　唯一确定。

　证明：

　假定泊松方程有两个解21 ， 则有12，22 并且在边界上S1 S，S2S， 即S1 S2 或者 Sn1 Sn，Sn2SnSn1 Sn2 令21 

　 则022122 021SSS,

　nSSn102Sn 由格林第一公式 2 V S ()dVdS    令   则22 V S(() )dVdS   

　V S

　 ∵0S 在 S 上积分

　S0dS 又 02 2 (V)0dV, 由于被积函数0)(2（正定）

　所以积分为零必然要求0，0S21常数 （1）

　若给定的是第一类边值关系 ， 常数为零，21 ， 电场唯一确定且电势也是唯一确定的。

　（2）

　若给定的是第二类边值关系 (是唯一的。

　/)0Sn，21常数，21,相差一个常数， 电场 E1. 介质分区均匀（不包含导体）

　V 内  已知，2/i   成立， 给定区域边界：S或(/)Sn， 在分界面上：ijijSjSi,ijijSiiSjjnn， 则 V 内场唯一确定（证明见教材 P60~61）

　2. 均匀单一介质中有导体（证明见书 P． 60）

　， 要求的是V 内的场。

　导体中0E当S和1 S，2S已知或Sn，（1 Sn，2Sn）

　为已知， 则V内场唯一。

　确定，dSnQiSi

　或21,QQ。

　3． 导体外有多种均匀介质 当S，iS（=常数）

　已知 或当Sn和导体上 Q 已知， V 内场唯一确定。

　在介质分界面上，ijijSjSi或ijijSiiSjjnn， 对于每一个导体 上 S1()imiiiQdSn。

　三、 唯一性定理的意义 （1）

　唯一性定理给出了确定静电场的条件， 为求解给定区域中的电场分布 E向并提供了保证条件；

　（2）

　具有十分重要的实用价值。

　无论采用什么方法得到解， 只要该解在区域 V 内满足泊松方程， 在边界上满足给定的指明了方边界条件， 则该解就是唯一的正确解。

　因此对于许多具有对称性的问题， 我们可以不必用繁杂的数学去求解泊松方程， 而是提出尝试解， 只要满足方程和边界条件即为所求的解， 若不满足， 可以加以修改或尝试。

　Q1 Q2 

　Q S S 1 2

　3

　§3 拉普拉斯方程的解——分离变量法 一、 拉普拉斯方程的适用条件 1． 场空间中0， 自由电荷只分布在某些介质（如导体）

　表面上， 将这些表面视为区域边界， 可以用拉普拉斯方程表示区域内电势所满足的方程。

　2． 在所求区域介质中有自由电荷分布， 若这个自由电荷分布在真空中， 且所产生的电势为已知， 则 （1）

　若所求区域内为单一均匀介质， 则介质中电势为真空中电势的 0( / )倍；

　（2）

　若所求区域为分区均匀介质， 不同介质交界面上必有束缚面电荷分布， 区域 V 中电势可表示为两部分的和：0，  不满足02 ， 但 使02 满足， 仍可用拉普拉斯方程求解， 但边值关系必须用S而不能用S 。

　二、 拉普拉斯方程在几种坐标系中解的形式 1．

　直角坐标系下

　02222222zyx 令 d)()()(),,(zZyYxXzyx2 000022222ZdzZdYdyYdXdxX 一般令

　222212221kkkkk kZkZFEzZDeCeyYBeAexXykykxkxkcossin)()()(2211 若 ),(yx  与 z 无关，222222/0/0d X dxk Xd Y dyk Y

　 k22k

　00特解 kykyDCyYBeAexXkxkxcossin)()( 若 )(x ， 与 zy,无关。

　22/0ddxAxB 2． 柱坐标系下

　01)(1222222zrrrrr 仅讨论 ),( r 与 z 无关。

　若 考 虑 到 某 些 边 界 条 件 为 齐 次 边 界 条 件（0(/)0SSn或）， 则kkk,,21均必须与某些正整数有关， 其通解为所有可能解求和。

　令 )()(),r(2dgrf 0)()(10)()(2222rfrdrdfrdrdrgdg 解：

　 12( )sincosgavav )(rf 有两个线性无关解 r

　和 r。

　单值性要求 )2 () 0 (，  只能取整数， 令n（正整数）

　通解：

　n1)cossin()cossin1(),(nnnnnnnDnCrnBnrArr 若 )(r ，0)(rrr，rBACrrln。

　3． 球坐标系下 1( , ,R)()(cos )(cossin)nmnmnnmnmnmba RPmCmR   )(cosmn P——缔合勒让德函数（连带勒让德函数）

　 若 不依赖于 ， 即 具有轴对称性 通解 nnnnnnPRbRaR)(cos)(),(1 )(cosn P为勒让德函数，cos)(cos110PP

　 ) 1cos3 (21)(cos22P … 

　若 与, 均无关， 即 具有球对称性， 则通解为：

　( )R/ab R 三、 解题步骤 1． 选择坐标系和电势参考点 坐标系选择主要根据区域中分界面形状 参考点主要根据电荷分布是有限还是无限 2． 分析对称性， 分区写出拉普拉斯方程在所选坐标系中的通解 3． 根据边界条件确定常数 （1）

　远边界条件：

　 电荷分布在有限区域

　0。

　边界条件和边值关系是相对的，导体边界可视为外边界，S给定， 或给定总电荷 Q， 或给定 ， （接地 0，rE0S， 电荷分布无限， 一般在均匀场中，zeEEzE00cos（直角坐标或柱坐标系）

　（2）

　内部边值关系：

　介质分界面上

　 SSSSnn221121 表面无自由电荷分布。

　例题 （教材 P64~69）

　§4 镜象法 一、

　镜象法的概念和适用条件 1. 求解泊松方程的难度 区域无  分布，02 适用。

　区域内有自由电荷，02/适用， 但求解很困难。

　在许多特殊情况下可采用叠原理求解， 对于空间存在有限个点电荷的情况， 原则上也能够求解。

　还有一些例子也可采用该方法求解，但求解难度极大（如导体板情况）。

　许多情况分界面上电荷是非均匀分布的， 造成场对称性不够理想。

　2． 唯一性定理保证下的尝试解 从物理上考虑， 在唯一性定理保证下， 可以采用试探解的方法。

　特别是对于有限个自由电荷的情况， 导体面上的感应电荷对场的贡献可以等效为一个或几个点电荷对场的贡献。

　3. 镜象法概念和条件 （1）

　镜象法：

　用假想点电荷等效地代替导体边界面上的面电荷分布， 然后用空间点电荷和等效点电荷迭加给出空间电势分布。

　（2）

　条件：

　a）

　所求区域内只能有有限个点电荷（只有点电荷产生的感应电荷才能用点镜象电荷代替）； b）

　导体边界面形状规则， 具有一定对称性； c）

　给定边界条件。

　要求：

　a）

　做替代时， 不能改变原有电荷分布（即自由点电荷位置、 大小不能被改变）。泊松方程不能改变， 所以假想电荷必须放在所求解区域之外； b）

　不能改变原有边界条件，通过边界条件确定假想电荷的大小和位置； c）

　一旦用了假想等效电荷， 不必再考虑边界面上的电荷对场的贡献； d）

　坐标系选择仍然根据边界形状来定。

　 例题 （教材 P71~72）

　 导体球

　 导体板 （导体表示电荷分布是不均匀的）

　对 直 角坐 标 无对称性 ，用球 坐 标具 有 轴对 称 ，Q Q

　 §5 格林函数法 格林函数法是求解数学物理方程的较为普遍的方法。（利用格林公式和已知点电荷在给定条件下的解求解给定边界条件的空间电势。）

　本节仅研究泊松方程解的格林函数方法。

　它与点电荷解的边值相关， 但可以解静电学的许多边值问题。

　设 V 内电荷分布  已知，

　 ① 给定 V 边界 S 上的各点电势S——第一类边值问题

　② 或给定边界上法向分量Sn——第二类边值问题 求 V 内各点电势值。

　上两节讨论了分离变量法和电象法， 只在一定条件下适用。（镜象法实际上是解格林函数的一种方法。）

　一、

　点电荷密度的 函数表示 1．

　处于 x点上的单位点电荷的密度)()(xxx[一般)()(xxQx]

　V V( )x dx()1()xx dVxV[

　V V( )x dx Q()]xx dVQ 2． 常用公式：

　( ) ()( )f x()Vf xxx dxxV 二、

　格林函数 1．

　点电荷的泊松方程：

　设电势为  ，20( )x()/Qxx  单位点电荷产生的电势

　20( )x()/xx  空间区域 V 上的边界条件0S或Sn常数 2．

　格林函数),(xxG 对于静电场的点电荷问题 ),()(xxGx 称为静电场的格林函数 20( , )()/G x xxx 

　（0),(SxxG或(( , )/)SG x xn常数）

　2 只对 x微商。

　格林函数的对称性

　),(),(xxGxxG

　（偶函数）

　3．

　（1）

　无界空间中的格林函数 x 上单位点电荷在无穷空间中激发的电势

　2220)()()(141),()(zzyyxxxxGx x到 x的距离 222)()()(zzyyx1xr 球坐标系下 xxrxxG00414),( （偶函数）

　∵),()(412xxGxxr显然满足点电荷泊松方程。

　（2）

　上半空间的格林函数 2222220)()()()()()(]11[41),()(zzyyxxrzzyyxxrrrxxGx（偶函数）

　（3）

　球外空间的格林函数 设点电荷 Q = 1 坐标为),,(zyxP， 观察点为),,(zyxP 222zyxxR

　 222zyxxR 球半径为 RR0

　（ R 相当于教材 P73 例题中的 a）

　cos222RRRRxxrPP 设假想点电荷在 P  ， 它的坐标为202(/)RRx（它在 PO  连线上， 题中 b 对 应这里的20/RR ）

　cos22202402220RRRRRRxRRxrPP 

　∵)(1202000RRRaRbRRRQRQQ  ]cos2)(1cos21[41)(),(2020220RRRRRRRRRRxxxG（偶函数）

　)cos(sinsincoscoscos 三、

　用格林函数求解一般的边值问题 1．

　第一类边值问题求解的格林方法（要求掌握这个公式）。

　(x，（1）

　V 内有电荷分布)S给定， 求 V 内)(x。

　 满足20/  （真空情况），

　相应格林函数问题：

　V 内 x点上有单位点电荷， 边界上),(xxG 0),(SxxG， 其解为 )(x（2）

　二者的联系由格林第二公式给出 设 满足泊松方程， 为 V 内电势20( )x( )/x （为讨论方便 x与 x互换）， 为格林函数 ),(xxG，20( , )/x x G  SdnxxGxnxxxGVdxxGxxxxGSV]),()()(),([)],()()(),([22 (0),)(1)()(1),()()(),(1)(),(00202SVVVVxxGxVdxxxVdxxGxVdxxxGVdxxxG

　∴nVSSdxxGxVdxxxGx),()()(),()(0 只要知道相应问题的),(xxG和Sx)(即可得到)(x。

　2． 第二类边值问题解的格林函数方法 （1）

　V 内有电荷分布 )(x， S 上Sn给定， 求 V 内)(x 相应格林函数问题 SnxxG),(常数（ x在 S 上）

　（2）x Sd SSVxnxxGVdxxxGx))(),()(,()(0 只要知道),(xG和Sn， 即可马上得到)(x例题 （教材 P82~83）

　3． 格林函数方法求解讨论 的求解本身也不是一件很容易的事情。

　一般只有区域几何形状规则、 简单（1）),(xxG才容易求解， 镜象法是求解格林函数的有效方法之一。

　（2）

　格林函数方法也可用于...

篇三：Ѵ�ڹ�����

光电效应简介 太阳电池的开发背景 光伏效应的基本原理 太阳电池的发展历程(类型) 无机纳米晶/有机半导体杂化太阳电池 无机纳米晶/有机半导体杂化太阳电池 太阳电池的应用和未来展望

　 光电效应(photoelectric)：

　物体吸收了 光能后转换为该物体中某些电子的能量而产生的电效应。§ 1887年Heinrich Hertz在实验中发现了光电效应， 爱因斯坦因采用光量子(photon) 的概念成功的解释了 光电效应而获得了 1921年诺贝尔物理奖。

　§ 根据电子吸收光子能量后的不同行为， 光电效应可分为外光电效应和内光电效应。 外光电效应 外光电效应：

　在光线作用下， 物体内的电子逸出物体表面向外发射的现象。§ 其主要应用有光电管和光电倍增管。在光线作用下物体内的电子逸出物体表面

　 内光电效应：

　光照射到半导体材料上激发出电子-空穴对而使半导体产了 产生的电效应。

　内光电效应可分为光电导效应、 光生伏特效应。§ 光电导效应是指光照射下半导体材料的电子吸收光子能量从键合状态过渡到自由状态， 从而引起材料电阻率的变化。

　其应用为光敏电阻。§ 光生伏特效应是指光照射下物体内产生一定方向的电动势的现象。

　其光伏特效应是指光照射下物体内产应用主要有光伏电池、 光(电)敏二极管、 光(电)敏三极管等。定方向的动势的现象其

　化石能源的开发利用造成环境污染。

　我国每年排入大气的污染物中， 有约80%的烟尘、 87%的SO2和67%气的污染物中， 有约80%的烟尘、 87%的SO2和67%的NOx来源于煤的燃烧。

　这些污染物会形成硫酸烟雾、 酸雨以及其它光化学烟雾等。化石能源行将枯竭带给人类巨大的挑战。

　按照2008年的开采速度计算， 全球石油剩余探明储量可供开采42年，天然气和煤炭分别可供应60年和122年。

　2008年我国煤炭储采比约为41年， 天然气和石油储采比分别约为32年和11年。必须加强替代能源包括核能、 风能、太阳能、 水能、 地太阳能、 水能、 地热和海洋能等的开发利用。化石能源的大量使用导致了 全球气候变化。

　政府间气候变化专门委员会(IPCC)的综合评估结果表明：

　近50年全球大部分增暖， 非常可能(90%以上)是人类活动的结果，特别是源于化石燃料使用导致的人为温室气体排放。

　 太阳能的优点：

　太阳能是人类可利用的最直接的清洁能源， 它分布广阔， 获取方便； 不会污染环境， 没有废水、 废渣、 废气的排放； 可以就地开发利用， 不存在运输问题。

　太阳表面释放的能量换算成电能的功率约为3.8× 1023KW左右， 其中约22亿分之一到达地球，约1.2× 1014KW(1.35KW/m2,太阳常数)， 这相当于现在地球上消耗能量的约1万倍。

　根据目前太阳产生的核能速率估算， 氢的贮量足够维持上百亿年， 而地球的寿命也约为几十亿年， 从这个意义上讲，可以说太阳的能量是取自不尽， 用之不竭的。 太阳能的缺点：

　能源密度较低， 并且具有间歇性， 使其大规模使用的成本和技术难度均很高， 目前太阳能所提供的能源占世界商业能源总量不足1%。

　金属半导体绝缘体金属的价带是半满的， 所以金属能够导电； 绝缘体的价带是全满的，并且具有较大的禁带宽度， 所以不能导电； 半导体的价带也是全满的，但由于其具有较窄的禁带宽度， 所以在一定的条件下能够导电。

　其电导率在10-4到1010欧姆厘米之间。

　 本征半导体：

　没有杂质和缺陷的半导体。

　其原子的排列处于非常整齐的状态， 在一定条件下少数电子可能挣脱束缚而形成电子载流子n0，同时留下带正电的空位(空穴hole)p0， 且浓度n0=p0。

　在本征半导体中载流子的总数仍然不能满足导电性的需要， 所以本征半导体实际用处不大。常见的本征半导体有硅(Si)、 锗(Ge)、 砷化镓(GaAs)等。 掺杂半导体：

　为了 提高半导体的导电性能， 可以通过添加杂质的办法降低其电阻率提高其导电性法降低其电阻率， 提高其导电性。

　例如对本征半导体硅掺入百万分之一的杂质， 其电阻率就会从105下降到只有几个欧姆厘米。例如对本征半导体硅掺入百万分之§ p-型半导体：

　positive, 通过掺杂增加半导体内的空穴载流子的浓度， 使空穴(正电子)成为多数载流子(多子)；§ n-型半导体：

　negative, 通过掺杂增加半导体内的电子载流子的浓度， 是电子称为多数载流子。

　 以硅为例， 理想的硅原子结构示意图： 添加3价元素硼后的示意图：黄色表示B元素， 蓝色点表示空穴。

　空穴容易吸收电子而中和就像空穴在流动一样吸收电子而中和， 就像空穴在流动样。 掺杂5价元素磷后的示意图：黄色表示P元素， 红色点表示多余的电子， 它非常活跃， 容易流动形成电流。

　当p-型和n-型半导体结合在一起时， 由于p-型半导体多空穴， n-型半导体多自由电子， 在界面处出现了 浓度差。

　n-区的电子会扩散到p-区， p-区的空穴会扩散到n-区， 这样会在交界面区域形成一个特殊的薄层， 即空间电荷区。

　空间电荷区存在一个从n-区指向p-区的内建电场阻止扩散进行，内建电场与半导体内的扩散达到平衡后， 就形成了 这样一个特殊的薄层这就是结特殊的薄层， 这就是p-n结。

　当光照射p-n结上时， 如果入射电子的能量大于半导体材料的禁带宽度(Eg)， 就会在半导体内产生大量的自由载流子-空穴和电子。

　它们在p-n结内建电场的作用下， 空穴往p-区移动， 使p-区获得附加正电荷； 而电子往n-型区移动，n-区获得负电荷， 产生一个光生电动势， 这就是光伏效应(光生伏打效应)。

　当用导线连接p-型区和n-型区时， 就会形成电流.

　关于光电效应和光伏效应的关系， 有以下两种观点： 光伏效应是光电效应的一种：

　基于这种观点的光电效应是指物体吸收光能后引起电性能变化的效应， 包括内、 外光电效应。 光电效应和光伏效应是不同的两个概念：

　可以从两个方面理解：①这种观点中的光电效应是狭义上的光电效应， 仅指外光电效应。②这种观点中的光电效应定义不同， 即photoemission非photoelectric， 其对应的材料仅指的是金属。

　“利用金属的光电效应也可以制备太阳电池，有光照的金属其化学势会稍微大于没有光照的金属的化学势， 从而产生光伏电压” ， 而“光生伏特效应是指光子入射到半导体的 p-n 结后， 从p-n 结的二端电极产生可输出功率的电压伏特值” 。 这篇文章中还指出：

　并不是能够转换入射光子能量而直接产生输出电压的器件都叫光生伏特效应。

　例如Dember效应， 指半导体吸收光子后产生能自由移动的电子和空穴， 由于电子和空穴的扩散系数不一样， 因此会在分布不均的电子和空穴间产生内建电场。

　又如基于光电化学效应的染料敏化太阳电池， 因为要用到电解质且涉及到了 化学反应， 也不属于光生伏特效应。

　 光伏电池和光电二极管都是基于光伏效应的光电器件。

　其主要区别在于：

　①光伏电池在零偏置下工作， 而光电二极管在反向偏置下工作②光伏电池的掺杂浓度较高1016-19从而具有较强的光伏效应， 而光电二极管掺杂浓度较低1012-13③光伏电池的电阻率较低0.1-0.01 Ω/cm， 而光电二极管则为1000Ω/cm④光伏电池的光敏面积要比光电二极管大得多， 因此光电二极管的光电流小得多， 一般在uA级。

　 发光二极管：

　Light Emitting Diode， 在电场作用下， 电子和空穴分别从阴极和阳极注入， 空穴和电子在发光层中相遇、复合形成激子， 激子经过驰豫、 扩散、 迁移等过程复合而产生光子。

　 光伏电池的主要性能参数有开路电压VOC、 短路电流ISC、 最大输出功率Pm、 填充因子FF、 能量转换效率PCE等。①开路电压open-circuit voltage：

　太阳电池处于开路状态时两端的电压，可用高内阻的直流毫伏计测量。②短路电流short-circuit current：

　太阳电池处于短路状态时流过的电流，常用短路电流密度JSC代替， 用内阻小于1Ω的电流表测量。③最大输出功率：

　太阳电池的输出功率随负载电阻而变化， 其最大值成为最大输出功率， Pm=Vm× Im。④填充因子Fill Factor：

　最大输出功率与开路电压和短路电流乘积之比，始终小于1， 代表太阳能电池在最佳负载时能输出的最大功率的特性。⑤能量转换效率Power Conversion Efficiency：

　太阳电池的最大输出功率和入射光的功率之比。 •FF VVIP••OCSCImmininP

　 太阳能电池输出特性测量电路示意图。

　当负载从0变化到无穷大时， 输出电压V则从0变到VOC， 同时输出电流便从ISC变到0， 由此得到电池的输出特性曲线。A电流计VV太阳电池电压计可变电阻 除了 以上5个主要参数， 有些文献上还提到了其它参数， 如光电转换效率IPCE(mono-chromatic incident photon-to-electron conversion efficiency )、 外量子效率EQE(external quantum efficiency )及内量子效率IQE(Internal Quantum Efficiency )。

　 理想太阳电池的等效电路：

　在恒定光照下， 光电流是恒定的， 它一部分流经负载， 在负载两端建立起端电压； 另一部分作用于p-n结， 形成正向偏置， 引起一股与光电流方向相反的暗电流。 实际太阳电池的等效电路：

　实际工作的太阳电池由于电极的接触和材料本身的电阻率， 存在着串联电阻的损耗； 电池边沿的漏电和电池的微裂纹、 划痕等造成的金属桥漏电， 相当于并联电阻的损耗。

　 单晶硅太阳电池的制作过程：①砂子还原成冶金级硅：

　石英砂(SiO2)在电弧炉中用C还原为Si和CO， 纯度一般95-99%， 杂质为Fe、 Al、 Ga、 Mg等。

　②冶金级硅提纯为半导体级硅：

　由工业硅制成硅的卤化物(如三氯硅烷， 四氯化硅)通过还原剂还原成为元素硅， 最后长成棒状(或针状、 块状)多晶硅。

　③半导体级硅转变为硅片：

　多晶硅经过区熔法(Fz)和坩埚直拉法(CG)制成单晶硅棒。

　④硅片制成太阳电池：

　主要包括表面准备（化学处理和表面腐蚀）

　、 扩散制(P-N)结、 去边、 去除背结、 制作上下电极、制作减反射膜等。

　⑤太阳电池封装成电池组件：

　将若干单体电池串、 并联连接并严密封装成组件主要有上盖板粘接剂并严密封装成组件， 主要有上盖板、 粘接剂、 底板、 边框等部分。底板边框等部分

　单晶硅太阳电池块状多晶硅太阳电池第一代太阳电池Silicon based多晶硅薄膜太阳电池薄膜多元化合物太阳电池单层结构非晶硅薄膜太阳电池有机化合物太阳电池有机化合物太阳电池第二代太阳电池thin films双层异质结本体异质结无机/有机杂化太阳电池叠层太阳电池染料敏化太阳电池量子点太阳电池热载流子太阳电池多能带太阳电池热光伏太阳电池第三代太阳电池new concept

　 硅材料太阳电池：①单晶硅太阳电池：工艺复杂， 电耗很大。

　目前单晶硅太阳电池的光电转换效率为15%左右， 实验室可达25%， 其理论最高效率为32%左右。以纯度为99.999%的单晶硅棒为原料制作而成，②多晶硅太阳电池：

　按结构可分为两种， 一种是块状(bulk)， 多半是用含有大量单晶颗粒的集合体， 或用废次单晶硅料和冶金级硅材料熔化浇铸而成。

　制作工艺与单晶硅太阳电池相似， 但材料制造简便， 成本较低。铸而成。

　制作工艺与单晶硅太阳电池相似， 但材料制造简便， 成本较低。另一种是薄膜状(thin-film),多采用化学气相沉积法(CVD)和液相外延法(LPPE)、 溅射沉积法制备。

　多晶硅薄膜电池成本远低于单晶硅电池， 而效率高于非晶硅薄膜电池。

　多晶硅太阳电池目前光电转换效率12%左右，实验室可达19.8%。③非晶硅太阳电池：

　于1976年出现， 硅材料消耗少， 电耗低， 常用辉光放电法、 反应溅射法、 化学气相沉积法、 电子束蒸发法和热分解硅烷法制备。

　其光电转换效率较低， 为10%左右， 实验室可达14.5%。

　 多元化合物薄膜电池：①砷化镓(GaAs)化合物薄膜太阳电池：

　砷化镓属于Ⅲ-Ⅴ化合物半导体材料， 能隙(band gap， 又叫禁带宽度forbidden bandwidth)为1.4eV， 并且耐高温性强， 最高转换效率可达30%。

　砷化镓系列太阳能电池包括单晶GaAs、 多晶GaAs、 镓铝砷-GaAs异质结、 金属-半导体GaAs、 金属-绝缘体-半导体GaAs、 GaSb（锑化镓）

　、 GaInP等。② 硫化镉(CdS)和碲化镉(CdTe)化合物薄膜电池：

　效率在10%以上。③铜铟硒(C I SCIS)和铜铟镓硒(C I G③铜铟硒(CuInSe2， CIS)和铜铟镓硒(CuInxGa1-xSe2， CIGS)化合物薄膜电池：CIS材料的能降为1.1eV， 是良好的太阳能电池半导体材料， 价格低廉、性能良好， 目前光电转换效率约在15%左右。SCIGS)化合物薄膜电池

　 在无机半导体中， 原子间因存在很强的相互作用(共价键或离子键)从而形成三维的周期晶格结构， 原子间能级的重叠形成能带。

　而有机半导体中分子间只有很弱的范德华力结合在一起， 导致分子的LUMO和HOMO之间相互作用力太弱不能形成导带和价带 (也可称之为“导带、 价带” )。

　电子需要克服较大势垒而不能在分子间进行公有化运动， 只能是以“跳跃” 的方式运动， 因此其载流子迁移率比无机半导体小很多。

　此外， 无机半导体中吸收一定能量的光子后将会产生分离的自由点子和空穴， 而有机半导体中产生的电子将束缚在空穴周围， 形成呈电中性的电子空穴对-激子(exciton)。 有机半导体材料也可区分为p-型与n-型的两大类，子受体(Acceptor)的被称为n-型的有机半导体材料； 而富电子型的或可用作电子给体(Donor)的化合物， 则称为p-型半导体， 因此p-n异质结在有机光伏器件中一般称作D-A结。

　多数的有机和高分子半导体材料是p-型的，如聚(苯乙烯撑) (PPV) 、 聚噻吩、 聚吡咯、 聚苯胺等衍生物等。

　相比较起来n-型半导体种类较少， 主要有PTCDI、 苝类化合物、 C60及其衍生物(PCBM)等。缺电子型或可用作电

　 单层有机太阳电池又叫肖特基(Schottky)型太阳电池:两个电极之间夹着一层有机材料， 电极一般都是ITO和低功函数金属Al、Ca、 Mg， 其内建电场源于两个...

篇四：Ѵ�ڹ�����

血压指南及中国专家共识----药物治疗部分》解读及新动向遵义医学院附属医院心内 科石蓓

　我国高血压现状心脑血管病成为中国人首位死因，高血压是第一危险因素 我国18 岁以上高血压患病率18.8%，与1991 年比较， 患病率上升31%。 2002年我国高血压患者人数1.6 亿，目前已经接近2亿。

　高血压治疗现状 我国人群高血压 知晓率 30.2%治疗率 24.7%控制率 6 1%控制率 6.1% 美国人群高血压 知晓率 70%治疗率 59%控制率 34%

　目标血压 一般高血压患者：

　<140/90 mmHg 对所有高危和极高危（ 包括心肌梗死后、 卒中、 肾功能不全和蛋白尿）

　的患者： 对所有高危和极高危（ 包括心肌梗死后、 卒中、 肾功能<130/80mmHg。 糖尿病高血压患者：<130/80 mmHg 老年高血压患者：

　SBP<150mmHg， 如能耐受可进一步降低。

　降压（血压达标）

　才是硬道理！血压从115/75mmHg开始每升高20/10mmHg，心血管事件发病危险性增高一倍。极高危患者10年内心脑血管事件绝对风险： 若血压下降10/5mmHg， 绝对风险可下降10%。 若血压下降20/10mmHg， 绝对风险可下17%。

　降血压治疗时机的确定 高危患者：

　即使血压处于正常高值（130～139/85～89mmHg）

　， 也应在非药物治疗基础上考虑进行药物治疗。 极高危患者（合并心血管疾病、 肾脏病变）

　， 即使血压在正常或正常高值， 也应在非药物治疗的基础上考虑进行药物治疗。

　生活方式干预--高血压降压治疗中的关键事项戒烟限酒改善生活方式可降低血压和心血管疾病风险■ 戒烟、 限酒■ 减轻或维持体重■ 加强体育锻炼■ 减少盐、 饱和脂肪酸和总脂肪的摄入■ 增加水果和蔬菜的摄入■ 减轻精神压力， 保持良好心态

　2008---高血压领域三项大规模临床试验 HYVETTreatment in Patients 80 years of Age or Older

　 ACCOMPLISHAvoiding Cardiovasculer Events Through Combination Therapy in Patients Living With Systolic Hypertension Trial ONTARGETOnging Telmisartan Alone and in combination with Ramipril，or Both in patients at High Rist for Vascular Events

　HYVETTreatment in Patients 80 years of Age or Older解决问题？高龄老人是否应当抗高血压药物治疗？脑卒中 风险与效益？结果结果：治疗组比安慰剂组平均血压↓ 15/6 mm Hg同时 心血管病死亡↓ 23% 全因死亡↓ 21% 脑卒中及心力衰竭↓ 64%结论：

　>80岁高龄老年人的降压治疗同样可以获益

　ACCOMPLISHAvoiding Cardiovasculer Events Through Combination Therapy in Patients Living With Systolic Hypertension Trial解决问题？收缩期高血压患者联合治疗避免心血管事件实验方案：

　高危高血压患者11506例， 随机分为：贝那普利+氨氯地平复合片随访36个月贝那普利+氢氯噻嗪复合片终点： 结果：

　高危高血压患者中， 贝那普利+氨氯地平减少心血管事件明显优于贝那普利+氢氯噻嗪组， 主要终点的相对危险下降20% 。 结论：

　ACEI联合长效CCB优于ACEI联合利尿剂，长效CCB +ACEI：

　强强联合， 黄金搭档

　ONTARGETOnging Telmisartan Alone and in combination with Ramipril，or Both in patients at High Rist for Vascular Events解决问题？ ACEI与ARB联用的优势？实验方案：

　替米沙坦结果：结果： 替米沙坦与雷米普利对心血管及糖尿病保护作用相同 二者联用未显示有更多的降低蛋白尿， 保护肾功能的作用，且还伴随更多副作用：

　低血压、 高血钾、 晕厥及肾功能变化结论： 挑战既往对ACEI加ARB可更有益于保护肾脏功能损害的认识 在肾脏方面， ACEI与ARB二者联用尚需谨慎研究与实践替米沙坦+雷米普利

　ONTARGETOnging Telmisartan Alone and in combination with Ramipril，or Both in patients at High Rist for Vascular Events 不应联合应用ACEI与ARB类药物 仅重度心力衰竭与蛋白尿性肾病患者可以考虑接受ACEI/ARB联合治疗， 但需密切监视其不良事件的发生。

　降压药的选择---强调联合降压治疗（五大类药物） 单纯强调首选某种药物进行降压治疗的观念已经过时，大多数患者需要≥2种的降压药物联合应用。肾上腺素能受体阻滞剂中显示增加高血压患者心力衰竭的发病率， 因而不再推荐作为单独或起始治疗时的用药。阻滞剂）

　在研究 α 肾上腺素能受体阻滞剂（α 阻滞剂）

　在ALLHAT研究 最好选用每日一次服用、 降压作用可以持续24小时的长效药物（依从性更好）

　。 治疗过程中应关注药物的不良反应。

　低肾素◆高肾素▲小于55岁或白人：

　高肾素活性▲大于55岁或黑人：

　低肾素活性(盐敏感型)▲大于55岁或黑人：

　低肾素活性(盐敏感型)▼抑制RAS：▼不抑制RAS：ACEI、 ARB、 β -阻滞剂CCB或利尿剂

　NICE指南---药物治疗建议 55岁以上高血压患者或任何年龄的黑人，开始治疗的首选应为CCB或噻嗪类利尿剂剂。 55岁以下的高血压患者， 开始治疗的首选应为ACEI或ARB。

　NICE指南---药物治疗建议 如开始治疗是CCB或噻嗪类利尿剂， 须加第二种药则加ACEI（不耐受者， 加ARB）

　。如开始用的ACEI（或ARB）

　则加CCB或噻嗪类利尿剂。 如开始用的ACEI（或ARB）

　则加CCB或噻嗪类 如须3种药， 则联合ACEI（或ARB）

　， CCB或噻嗪类利尿剂。 如须第四种药， 应考虑以下之一：较大剂量的噻嗪类利尿剂， 或β-阻滞剂。

　NICE指南---药物治疗建议 β-阻滞剂不是最好的高血压开始治疗， 但是在较年轻的人也可以考虑， 特别是那些对ACEI和ARB不耐受或禁忌者ACEI和ARB不耐受或禁忌者， 或可能生孩子的妇女， 以及交感神经增强的人。或可能生孩 如果开始用β-阻滞剂治疗而须第二种药，则加CCB而不是噻嗪类利尿剂以减少发生糖尿病的危险。

　β -受体阻滞剂：

　争议与思考 英国NICE指南公布后， β -阻滞剂从一线治疗地位向四线转变， 是否能被人们接受？ β -阻滞剂是否可以增加新发糖尿病的风险？增加糖尿病风险13﹪（ 阿替洛尔为研究对象）

　.

　LIFE、 ASCOT试验 阿替洛尔缺乏心血管保护作用“类效应” 概念？

　ESH---高血压指南：β -阻滞剂是疗效确切的一线降压药物 新型高选择β -阻滞剂具有潜在的心脏保护作用， 特别在心衰、 冠心病患者的治疗中（IA）疗中（IA）美托洛尔、 比索洛尔、 卡维地洛 应该以批评的态度来看待NICE这种随意贬低β -阻滞剂治疗地位的做法。

　有下列合并症的心血管病变应首选β -阻滞剂 高血压合并冠心病劳力性心绞痛 高血压合并心肌梗死后高血压已发生心力衰竭或心衰前期 高血压已发生心力衰竭或心衰前期 目前心血管药物中唯有β-阻滞剂可降低猝死的风险， 长期治疗对死亡率影响得益较大的风险， 长期治疗对降低死亡率得益较大目前心血管药物中唯有β -阻滞剂可降低猝死

　无合并症者， 在以下情况β -阻滞剂应为合理的一线药物 中青年高血压患者常为一线首选降压药 高血压伴快速心律失常 交感神经增强的患者(高度应激(高动力型高血压)焦虑状态等) 交感神经增强的患者(高度应激、 焦虑状态等) 妊娠女性或可能生孩子的妇女 对ACEIs及ARBs不能耐受或禁忌的患者 嗜铬细胞瘤、 主动脉夹层等

　中国专家共识快速性的心律失常（如窦速、 心房颤动）快速性的心律失常（如窦速、 心房颤动）β-阻滞剂对合并以下情况的患者具有不可替代的地位， 应当首选冠心病（稳定/不稳定型心绞痛、 心肌梗死后）心力衰竭合并高血压患者交感神经活性增高患者（高血压发病早期伴心率增快者、 社会心理应激者、 焦虑等精神压力增加者、 围手术期高血压、 高循环动力状态如甲亢、 高原生活者等）禁忌使用或不能耐受ACEI/ARB的年轻高血压患者

　中国专家共识代谢综合征和易患糖尿病无心力衰竭或心肌梗死无快速性的心律失常（如窦性心动过速无快速性的心律失常（如窦性心动过速、心房颤动）

　者60岁以上的老年患者若存在上述提及的情况， 不推荐β-阻滞剂作为初始治疗的用药选择。作为初始治疗的用药选择。若存在上述提及的情况， 不推荐β-阻滞剂

　中国专家共识-◆-结论 交感神经过度激活是高血压重要的发病机制之一， 循证医学证据表明β-阻滞剂具有明确的降压疗效和心血管保护作用。效 β-阻滞剂更适用于年轻、 心率快、 高肾型。β-阻滞剂更适用于年轻、 心率快、 高肾型 尤其适用于合并有心肌梗死病史、 心绞痛、 快速心律失常（如心房颤动）

　及心力衰竭的患者速心律失常（如心房颤动）

　及心力衰竭的患者尤其适用于合并有心肌梗死病史、 心绞痛、 快

　糖尿病患者的降压治疗 约20%高血压患者患有糖尿病 血压达标可使其死亡率与主要不良心血管事件发生率降低50%发生率降低50% 强化血压控制（<130/80mmHg)可使其主要心血管事件发生率进一步降低25% 有效降压可显著减少糖尿病患者微血管并发症的发生

　糖尿病患者的降压治疗 血压控制的目标值<130/80mmHg。 出现微量白蛋白尿， 血压在正常高值范围内的糖尿病患者应尽早开始降压药物治疗。 首选RAS阻滞剂（ACEI或ARB）RAS阻滞剂应作为联合治疗的常规组分 小剂量利尿剂治疗 ---糖尿病患者顽固性高血压降压治疗的基石药物。 糖尿病患者是血压达标率最低的人群 。

　肾功能不全患者的降压治疗 严格控制血压＜130/80mmHg如果尿蛋白＞1克， 则应更低。 降低尿蛋白水平， 使其尽可能接近正常（首选RAS阻滞剂）

　。 为达到目标血压， 通常需要联用多种降压药物，包括襻利尿剂。

　脑血管疾病患者的降压治疗 首选长效CCB 有卒中或一过性脑缺血发作病史的患者， 降压治疗可以显著降低卒中复发率， 也可以降低相治疗可以显著降低卒中复发率， 也可以降低相关心血管事件的高发风险。 降压治疗对高血压患者及正常高值血压的个体均有益。

　冠心病患者的降压治疗 急性冠脉综合征首选β 阻滞剂、 ACEI或ARB 对冠心病患者的降压治疗， 舒张压不能低于60mmHg。

　心力衰竭患者的降压治疗 首选噻嗪类利尿剂或襻利尿剂， 并合用β 阻滞剂、 ACEI/ARB和醛固酮拮抗剂。 除非血压难以控制或因为心绞痛， 应避免对心力衰竭患者使用钙拮抗剂。

　难治性高血压 定义：

　应用包括利尿剂在内的 3种足量药物后，血压仍不达标者。① 要同时应用 3种药物， 而不是依次应用②3种药物是不同种类的药物③剂量是最佳剂量， 而不是上述中的足量。

　难治性高血压---预测因素 高龄、 收缩压高、 左心室肥厚和肥胖均是难治性高血压预测因素。 慢性肾病 (肌酐≥133 μmol /L)是难治性高血压的最强的预测因素。 其他预测因素：

　糖尿病等

　难治性高血压---积极寻找原因 改善生活方式失败（肥胖、 酗酒、 高盐饮食） 药物源性（甘草片、 糖皮质激素、 非甾体类抗炎药、 口服避孕药、 减肥药） 容量负荷过重（利尿剂治疗不足、 肾功能不全、 高盐摄入、 醛固酮增多症） 阻塞性睡眠呼吸暂停、 继发性高血压、 严重靶器官损害

　难治性高血压---提高治疗的依从性 合理的价格是保证患者依从性的重要因素之一。在我国， 对需要自费用药的患者， 药价是治疗过程中需要特别考虑的问题程中需要特别考虑的问题。 注意药物的副作用：

　对不同的患者药物的副作用各不相同， 应根据药物治疗反应及时调整药物的种类和剂量。

　假性难治性高血压 单纯诊室高血压 -- 白大衣效应 血压测量有问题◆ 测量前没有让患者静坐休息◆患者上臂粗但未使用较大的袖带 药物依从性差

　阿司匹林 -◆- 高血压 高血压患者首要死亡原因为血栓性事件(脑梗死、 冠心病等)， 因此预防血栓性疾病是高血压治疗的重要目标之之一 阿司匹林是防治血栓性疾病的“基石” ， 可有效降低高血压患者血栓性事件的发生率 因此， 对于绝大部分高血压， 都应考虑使用阿司匹林

　阿司匹林 -◆- 高血压如果没有禁忌症， 下述三类高血压患者应考虑使用阿斯匹林： 50岁以上单纯高血压人群， 血压控制良好 50岁以下合并任一危险因素的高血压人群， 血压控制良好 有血栓性疾病(冠心病、 脑梗死、 外周动脉疾病)的高血压患者， 血压控制良好

　阿司匹林 -◆- 高血压 高血压人群应用阿司匹林的合理剂量？ 推荐剂量：

　每天100mg(75-150mg)长期服用!

　精确肠溶的拜阿司匹灵， 最大限度降低胃肠道不良反应拜阿司匹灵精确肠溶， 更多受益溶解点与普通阿司匹林比较胃肠道不良反应减少 60%

　阿司匹林 -◆- 高血压应用阿司匹林是否有脑出血风险？风险率为0.03%⁄年迄今为止临床试验均未能证实小剂量阿司匹林中导致颅内出血增加(HOT试验等)阿司匹林获益是其风险的30-50倍 !

　临床常用降压药物 钙通道拮抗剂 CCB血管紧张素转换酶抑制剂 ACEI 血管紧张素转换酶抑制剂 ACEI 血管紧张素II受体拮抗剂ARB β -受体阻滞剂 利尿剂

　欧洲高血压指南---联合治疗

　经典的钙离子拮抗剂—圣通平®

　圣通平-----用法用量适 应 症：

　各种类型的高血压以及心绞痛规格：30片/盒用法用量：1天2次1-2片（10-20mg）

　/次价格 ：10元/盒（0.66元/天）

　昼夜服一次 平稳降血压 三精®司 乐 平®

　司乐平（拉西地平）第三代钙离子拮抗剂第一代（硝苯地平第一代（硝苯地平， 维拉帕米）维拉帕米）第二代（尼卡地平， 非洛地平）第三代（拉西地平， 氨氯地平）

　司乐平治疗达标率高司乐平治疗达标率高(%)606080100血压达标患者的百分率02040依那普利5-40mg/dn=23司乐平4-6mg/d n=23

　司乐平副作用少且轻微司乐平副作用少且轻微1 9. 001 520乐卡地平氨氯地平拉西地平P<0.0001%副作用随着相同剂量的连续用药而逐渐减弱或消失4. 30051 0水肿头晕眩晕脸红头痛心悸心动过速

　苯磺酸左旋氨氯地平—施慧达氨氯地平的化合物有左旋氨氯地平的化合物有左旋和右旋两种同型异构体，和右旋两种同型异构体，左旋体钙拮抗...

篇五：Ѵ�ڹ�����

商、 西周的兴亡夏、 商、 西周的兴亡第4课

　阳城

　夏桀的残暴统治表现有哪些？

　殷盘庚迁殷盘庚迁殷亳

　商纣王的残暴统治表现有哪些？

　天子（周王）天子（周王）诸侯诸侯卿大夫卿大夫统治阶级西周等级示意图士士平民平民奴隶奴隶被统治阶级

　学习了夏、 商、 西周的兴亡史， 对于这些朝代灭亡的史实你有什么 感想？的史实， 你有什么 感想？如果你是一个朝代的国君，你将如何使朝代摆脱灭亡呢？

　夏、商、西周的兴亡夏朝的兴衰世袭制代替禅让制国家机器的建立夏桀的残暴统治公元前1600年， 商朝建立盘庚迁殷盘庚迁殷商纣王的残暴统治牧野之战西周的建立顺口溜：夏、 商、 西周的建立者分别是谁？夏禹商汤周武王。商汤灭夏和武王伐纣西周的分封制分封制的目的分封的方法分封制的作用国人暴动和西周灭亡

　夏、商、西周的兴亡夏朝的兴亡1 、 约公元前2070年， （时， “公天下” 变成了“家天下” 。2、 夏朝的统治中心是（南部一带。3、 夏朝最后一个国王（史上有名的暴君。1 、 约公元前1 600年， （建立。2商王盘庚将都城迁到（2、 商王盘庚将都城迁到（称商朝为（）

　朝。3、 商朝最后一个王（烙之刑， 镇压人民。）

　建立夏朝。

　（））

　西部和（））

　统治残暴， 是历）

　起兵灭夏， （）））

　， 因此， 后人因此后人禹启河南山西桀汤商殷殷商朝的兴亡西周的兴亡）

　统治残暴， 施用炮1 、 周文王时， 任用（2、 公元前1 046年， 周商军队在（商朝灭亡， （3、 为巩固统治， 西周实行（4、 周厉王的统治残暴， 导致了（）

　， 国力逐步强大。牧野）

　大战。）

　建立周朝， 定都镐京。分封制）

　。）

　。殷纣姜尚周武王国人暴动

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