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��ѧ�ڰ����λ��鷢��3篇��ѧ�ڰ����λ��鷢��　夏、商、西周的兴亡夏、商、西周的兴亡第4课　阳城　夏桀的残暴统治表现有哪些？　殷盘庚迁殷盘庚迁殷亳　商纣王的残暴统治表现有哪些？　天子下面是小编为大家整理的��ѧ�ڰ����λ��鷢��3篇,供大家参考。

篇一：��ѧ�ڰ����λ��鷢��

商、 西周的兴亡夏、 商、 西周的兴亡第4课

　阳城

　夏桀的残暴统治表现有哪些？

　殷盘庚迁殷盘庚迁殷亳

　商纣王的残暴统治表现有哪些？

　天子（周王）天子（周王）诸侯诸侯卿大夫卿大夫统治阶级西周等级示意图士士平民平民奴隶奴隶被统治阶级

　学习了夏、 商、 西周的兴亡史， 对于这些朝代灭亡的史实你有什么 感想？的史实， 你有什么 感想？如果你是一个朝代的国君，你将如何使朝代摆脱灭亡呢？

　夏、商、西周的兴亡夏朝的兴衰世袭制代替禅让制国家机器的建立夏桀的残暴统治公元前1600年， 商朝建立盘庚迁殷盘庚迁殷商纣王的残暴统治牧野之战西周的建立顺口溜：夏、 商、 西周的建立者分别是谁？夏禹商汤周武王。商汤灭夏和武王伐纣西周的分封制分封制的目的分封的方法分封制的作用国人暴动和西周灭亡

　夏、商、西周的兴亡夏朝的兴亡1 、 约公元前2070年， （时， “公天下” 变成了“家天下” 。2、 夏朝的统治中心是（南部一带。3、 夏朝最后一个国王（史上有名的暴君。1 、 约公元前1 600年， （建立。2商王盘庚将都城迁到（2、 商王盘庚将都城迁到（称商朝为（）

　朝。3、 商朝最后一个王（烙之刑， 镇压人民。）

　建立夏朝。

　（））

　西部和（））

　统治残暴， 是历）

　起兵灭夏， （）））

　， 因此， 后人因此后人禹启河南山西桀汤商殷殷商朝的兴亡西周的兴亡）

　统治残暴， 施用炮1 、 周文王时， 任用（2、 公元前1 046年， 周商军队在（商朝灭亡， （3、 为巩固统治， 西周实行（4、 周厉王的统治残暴， 导致了（）

　， 国力逐步强大。牧野）

　大战。）

　建立周朝， 定都镐京。分封制）

　。）

　。殷纣姜尚周武王国人暴动

篇二：��ѧ�ڰ����λ��鷢��

光电效应简介 太阳电池的开发背景 光伏效应的基本原理 太阳电池的发展历程(类型) 无机纳米晶/有机半导体杂化太阳电池 无机纳米晶/有机半导体杂化太阳电池 太阳电池的应用和未来展望

　 光电效应(photoelectric)：

　物体吸收了 光能后转换为该物体中某些电子的能量而产生的电效应。§ 1887年Heinrich Hertz在实验中发现了光电效应， 爱因斯坦因采用光量子(photon) 的概念成功的解释了 光电效应而获得了 1921年诺贝尔物理奖。

　§ 根据电子吸收光子能量后的不同行为， 光电效应可分为外光电效应和内光电效应。 外光电效应 外光电效应：

　在光线作用下， 物体内的电子逸出物体表面向外发射的现象。§ 其主要应用有光电管和光电倍增管。在光线作用下物体内的电子逸出物体表面

　 内光电效应：

　光照射到半导体材料上激发出电子-空穴对而使半导体产了 产生的电效应。

　内光电效应可分为光电导效应、 光生伏特效应。§ 光电导效应是指光照射下半导体材料的电子吸收光子能量从键合状态过渡到自由状态， 从而引起材料电阻率的变化。

　其应用为光敏电阻。§ 光生伏特效应是指光照射下物体内产生一定方向的电动势的现象。

　其光伏特效应是指光照射下物体内产应用主要有光伏电池、 光(电)敏二极管、 光(电)敏三极管等。定方向的动势的现象其

　化石能源的开发利用造成环境污染。

　我国每年排入大气的污染物中， 有约80%的烟尘、 87%的SO2和67%气的污染物中， 有约80%的烟尘、 87%的SO2和67%的NOx来源于煤的燃烧。

　这些污染物会形成硫酸烟雾、 酸雨以及其它光化学烟雾等。化石能源行将枯竭带给人类巨大的挑战。

　按照2008年的开采速度计算， 全球石油剩余探明储量可供开采42年，天然气和煤炭分别可供应60年和122年。

　2008年我国煤炭储采比约为41年， 天然气和石油储采比分别约为32年和11年。必须加强替代能源包括核能、 风能、太阳能、 水能、 地太阳能、 水能、 地热和海洋能等的开发利用。化石能源的大量使用导致了 全球气候变化。

　政府间气候变化专门委员会(IPCC)的综合评估结果表明：

　近50年全球大部分增暖， 非常可能(90%以上)是人类活动的结果，特别是源于化石燃料使用导致的人为温室气体排放。

　 太阳能的优点：

　太阳能是人类可利用的最直接的清洁能源， 它分布广阔， 获取方便； 不会污染环境， 没有废水、 废渣、 废气的排放； 可以就地开发利用， 不存在运输问题。

　太阳表面释放的能量换算成电能的功率约为3.8× 1023KW左右， 其中约22亿分之一到达地球，约1.2× 1014KW(1.35KW/m2,太阳常数)， 这相当于现在地球上消耗能量的约1万倍。

　根据目前太阳产生的核能速率估算， 氢的贮量足够维持上百亿年， 而地球的寿命也约为几十亿年， 从这个意义上讲，可以说太阳的能量是取自不尽， 用之不竭的。 太阳能的缺点：

　能源密度较低， 并且具有间歇性， 使其大规模使用的成本和技术难度均很高， 目前太阳能所提供的能源占世界商业能源总量不足1%。

　金属半导体绝缘体金属的价带是半满的， 所以金属能够导电； 绝缘体的价带是全满的，并且具有较大的禁带宽度， 所以不能导电； 半导体的价带也是全满的，但由于其具有较窄的禁带宽度， 所以在一定的条件下能够导电。

　其电导率在10-4到1010欧姆厘米之间。

　 本征半导体：

　没有杂质和缺陷的半导体。

　其原子的排列处于非常整齐的状态， 在一定条件下少数电子可能挣脱束缚而形成电子载流子n0，同时留下带正电的空位(空穴hole)p0， 且浓度n0=p0。

　在本征半导体中载流子的总数仍然不能满足导电性的需要， 所以本征半导体实际用处不大。常见的本征半导体有硅(Si)、 锗(Ge)、 砷化镓(GaAs)等。 掺杂半导体：

　为了 提高半导体的导电性能， 可以通过添加杂质的办法降低其电阻率提高其导电性法降低其电阻率， 提高其导电性。

　例如对本征半导体硅掺入百万分之一的杂质， 其电阻率就会从105下降到只有几个欧姆厘米。例如对本征半导体硅掺入百万分之§ p-型半导体：

　positive, 通过掺杂增加半导体内的空穴载流子的浓度， 使空穴(正电子)成为多数载流子(多子)；§ n-型半导体：

　negative, 通过掺杂增加半导体内的电子载流子的浓度， 是电子称为多数载流子。

　 以硅为例， 理想的硅原子结构示意图： 添加3价元素硼后的示意图：黄色表示B元素， 蓝色点表示空穴。

　空穴容易吸收电子而中和就像空穴在流动一样吸收电子而中和， 就像空穴在流动样。 掺杂5价元素磷后的示意图：黄色表示P元素， 红色点表示多余的电子， 它非常活跃， 容易流动形成电流。

　当p-型和n-型半导体结合在一起时， 由于p-型半导体多空穴， n-型半导体多自由电子， 在界面处出现了 浓度差。

　n-区的电子会扩散到p-区， p-区的空穴会扩散到n-区， 这样会在交界面区域形成一个特殊的薄层， 即空间电荷区。

　空间电荷区存在一个从n-区指向p-区的内建电场阻止扩散进行，内建电场与半导体内的扩散达到平衡后， 就形成了 这样一个特殊的薄层这就是结特殊的薄层， 这就是p-n结。

　当光照射p-n结上时， 如果入射电子的能量大于半导体材料的禁带宽度(Eg)， 就会在半导体内产生大量的自由载流子-空穴和电子。

　它们在p-n结内建电场的作用下， 空穴往p-区移动， 使p-区获得附加正电荷； 而电子往n-型区移动，n-区获得负电荷， 产生一个光生电动势， 这就是光伏效应(光生伏打效应)。

　当用导线连接p-型区和n-型区时， 就会形成电流.

　关于光电效应和光伏效应的关系， 有以下两种观点： 光伏效应是光电效应的一种：

　基于这种观点的光电效应是指物体吸收光能后引起电性能变化的效应， 包括内、 外光电效应。 光电效应和光伏效应是不同的两个概念：

　可以从两个方面理解：①这种观点中的光电效应是狭义上的光电效应， 仅指外光电效应。②这种观点中的光电效应定义不同， 即photoemission非photoelectric， 其对应的材料仅指的是金属。

　“利用金属的光电效应也可以制备太阳电池，有光照的金属其化学势会稍微大于没有光照的金属的化学势， 从而产生光伏电压” ， 而“光生伏特效应是指光子入射到半导体的 p-n 结后， 从p-n 结的二端电极产生可输出功率的电压伏特值” 。 这篇文章中还指出：

　并不是能够转换入射光子能量而直接产生输出电压的器件都叫光生伏特效应。

　例如Dember效应， 指半导体吸收光子后产生能自由移动的电子和空穴， 由于电子和空穴的扩散系数不一样， 因此会在分布不均的电子和空穴间产生内建电场。

　又如基于光电化学效应的染料敏化太阳电池， 因为要用到电解质且涉及到了 化学反应， 也不属于光生伏特效应。

　 光伏电池和光电二极管都是基于光伏效应的光电器件。

　其主要区别在于：

　①光伏电池在零偏置下工作， 而光电二极管在反向偏置下工作②光伏电池的掺杂浓度较高1016-19从而具有较强的光伏效应， 而光电二极管掺杂浓度较低1012-13③光伏电池的电阻率较低0.1-0.01 Ω/cm， 而光电二极管则为1000Ω/cm④光伏电池的光敏面积要比光电二极管大得多， 因此光电二极管的光电流小得多， 一般在uA级。

　 发光二极管：

　Light Emitting Diode， 在电场作用下， 电子和空穴分别从阴极和阳极注入， 空穴和电子在发光层中相遇、复合形成激子， 激子经过驰豫、 扩散、 迁移等过程复合而产生光子。

　 光伏电池的主要性能参数有开路电压VOC、 短路电流ISC、 最大输出功率Pm、 填充因子FF、 能量转换效率PCE等。①开路电压open-circuit voltage：

　太阳电池处于开路状态时两端的电压，可用高内阻的直流毫伏计测量。②短路电流short-circuit current：

　太阳电池处于短路状态时流过的电流，常用短路电流密度JSC代替， 用内阻小于1Ω的电流表测量。③最大输出功率：

　太阳电池的输出功率随负载电阻而变化， 其最大值成为最大输出功率， Pm=Vm× Im。④填充因子Fill Factor：

　最大输出功率与开路电压和短路电流乘积之比，始终小于1， 代表太阳能电池在最佳负载时能输出的最大功率的特性。⑤能量转换效率Power Conversion Efficiency：

　太阳电池的最大输出功率和入射光的功率之比。 •FF VVIP••OCSCImmininP

　 太阳能电池输出特性测量电路示意图。

　当负载从0变化到无穷大时， 输出电压V则从0变到VOC， 同时输出电流便从ISC变到0， 由此得到电池的输出特性曲线。A电流计VV太阳电池电压计可变电阻 除了 以上5个主要参数， 有些文献上还提到了其它参数， 如光电转换效率IPCE(mono-chromatic incident photon-to-electron conversion efficiency )、 外量子效率EQE(external quantum efficiency )及内量子效率IQE(Internal Quantum Efficiency )。

　 理想太阳电池的等效电路：

　在恒定光照下， 光电流是恒定的， 它一部分流经负载， 在负载两端建立起端电压； 另一部分作用于p-n结， 形成正向偏置， 引起一股与光电流方向相反的暗电流。 实际太阳电池的等效电路：

　实际工作的太阳电池由于电极的接触和材料本身的电阻率， 存在着串联电阻的损耗； 电池边沿的漏电和电池的微裂纹、 划痕等造成的金属桥漏电， 相当于并联电阻的损耗。

　 单晶硅太阳电池的制作过程：①砂子还原成冶金级硅：

　石英砂(SiO2)在电弧炉中用C还原为Si和CO， 纯度一般95-99%， 杂质为Fe、 Al、 Ga、 Mg等。

　②冶金级硅提纯为半导体级硅：

　由工业硅制成硅的卤化物(如三氯硅烷， 四氯化硅)通过还原剂还原成为元素硅， 最后长成棒状(或针状、 块状)多晶硅。

　③半导体级硅转变为硅片：

　多晶硅经过区熔法(Fz)和坩埚直拉法(CG)制成单晶硅棒。

　④硅片制成太阳电池：

　主要包括表面准备（化学处理和表面腐蚀）

　、 扩散制(P-N)结、 去边、 去除背结、 制作上下电极、制作减反射膜等。

　⑤太阳电池封装成电池组件：

　将若干单体电池串、 并联连接并严密封装成组件主要有上盖板粘接剂并严密封装成组件， 主要有上盖板、 粘接剂、 底板、 边框等部分。底板边框等部分

　单晶硅太阳电池块状多晶硅太阳电池第一代太阳电池Silicon based多晶硅薄膜太阳电池薄膜多元化合物太阳电池单层结构非晶硅薄膜太阳电池有机化合物太阳电池有机化合物太阳电池第二代太阳电池thin films双层异质结本体异质结无机/有机杂化太阳电池叠层太阳电池染料敏化太阳电池量子点太阳电池热载流子太阳电池多能带太阳电池热光伏太阳电池第三代太阳电池new concept

　 硅材料太阳电池：①单晶硅太阳电池：工艺复杂， 电耗很大。

　目前单晶硅太阳电池的光电转换效率为15%左右， 实验室可达25%， 其理论最高效率为32%左右。以纯度为99.999%的单晶硅棒为原料制作而成，②多晶硅太阳电池：

　按结构可分为两种， 一种是块状(bulk)， 多半是用含有大量单晶颗粒的集合体， 或用废次单晶硅料和冶金级硅材料熔化浇铸而成。

　制作工艺与单晶硅太阳电池相似， 但材料制造简便， 成本较低。铸而成。

　制作工艺与单晶硅太阳电池相似， 但材料制造简便， 成本较低。另一种是薄膜状(thin-film),多采用化学气相沉积法(CVD)和液相外延法(LPPE)、 溅射沉积法制备。

　多晶硅薄膜电池成本远低于单晶硅电池， 而效率高于非晶硅薄膜电池。

　多晶硅太阳电池目前光电转换效率12%左右，实验室可达19.8%。③非晶硅太阳电池：

　于1976年出现， 硅材料消耗少， 电耗低， 常用辉光放电法、 反应溅射法、 化学气相沉积法、 电子束蒸发法和热分解硅烷法制备。

　其光电转换效率较低， 为10%左右， 实验室可达14.5%。

　 多元化合物薄膜电池：①砷化镓(GaAs)化合物薄膜太阳电池：

　砷化镓属于Ⅲ-Ⅴ化合物半导体材料， 能隙(band gap， 又叫禁带宽度forbidden bandwidth)为1.4eV， 并且耐高温性强， 最高转换效率可达30%。

　砷化镓系列太阳能电池包括单晶GaAs、 多晶GaAs、 镓铝砷-GaAs异质结、 金属-半导体GaAs、 金属-绝缘体-半导体GaAs、 GaSb（锑化镓）

　、 GaInP等。② 硫化镉(CdS)和碲化镉(CdTe)化合物薄膜电池：

　效率在10%以上。③铜铟硒(C I SCIS)和铜铟镓硒(C I G③铜铟硒(CuInSe2， CIS)和铜铟镓硒(CuInxGa1-xSe2， CIGS)化合物薄膜电池：CIS材料的能降为1.1eV， 是良好的太阳能电池半导体材料， 价格低廉、性能良好， 目前光电转换效率约在15%左右。SCIGS)化合物薄膜电池

　 在无机半导体中， 原子间因存在很强的相互作用(共价键或离子键)从而形成三维的周期晶格结构， 原子间能级的重叠形成能带。

　而有机半导体中分子间只有很弱的范德华力结合在一起， 导致分子的LUMO和HOMO之间相互作用力太弱不能形成导带和价带 (也可称之为“导带、 价带” )。

　电子需要克服较大势垒而不能在分子间进行公有化运动， 只能是以“跳跃” 的方式运动， 因此其载流子迁移率比无机半导体小很多。

　此外， 无机半导体中吸收一定能量的光子后将会产生分离的自由点子和空穴， 而有机半导体中产生的电子将束缚在空穴周围， 形成呈电中性的电子空穴对-激子(exciton)。 有机半导体材料也可区分为p-型与n-型的两大类，子受体(Acceptor)的被称为n-型的有机半导体材料； 而富电子型的或可用作电子给体(Donor)的化合物， 则称为p-型半导体， 因此p-n异质结在有机光伏器件中一般称作D-A结。

　多数的有机和高分子半导体材料是p-型的，如聚(苯乙烯撑) (PPV) 、 聚噻吩、 聚吡咯、 聚苯胺等衍生物等。

　相比较起来n-型半导体种类较少， 主要有PTCDI、 苝类化合物、 C60及其衍生物(PCBM)等。缺电子型或可用作电

　 单层有机太阳电池又叫肖特基(Schottky)型太阳电池:两个电极之间夹着一层有机材料， 电极一般都是ITO和低功函数金属Al、Ca、 Mg， 其内建电场源于两个...

篇三：��ѧ�ڰ����λ��鷢��

1 24 / 2 0 0 3漳 州 职 业大学学报快速作 结 构内 力 图 的 方 法黄 瑞 梅( 津 州 职 业 技 术 学 院 建 筑 工 程 系,福 建 漳 州 3 6 3 0 0 0 )摘 要:通过对 静 定结 构 内 力图 作 法 的 学 习 归纳,总 结 出 快 速 作 内 力图的 几 种 方 法,以 提 高作 内 力图 的 速度 和效 率。关 键 词:建 筑 结 构 力 学 静 定结 构 内 力 简 支梁悬 臂 梁外伸 梁中图 分 类 号:T U 3 11文献标 识 码:A文章编 号:10 0 8一2 9 1 3 ( 20 03 ) 0 4一 0 1 12 一 02《 结构 力 学 》 是 建筑类学 生 必 修的 一 门专业 基 础课。作内 力图是 结 构力学 的 最 主 要部分,也 是 最 难 的。不 少 学 生 认为结构 力学 很难学,提 到作 内 力 图更是 头 痛。其实,尽 管 结构 力学很抽 象,但 只 要 抓住 其要 点,正 确 掌握 方 法 便 能 做 到事 半 功倍。1.结 构 力 学 的 有 关 规 定为 了 方 便 作 图,我 们 习 惯上把 内 力 图中 的 内 力符 号 作 如下 规定:P —集 中 力qs e均 布 荷 载M—弯 距L —弯 距 图奋 一 一 剪 力⑨ —剪 力 图N —轴 力⑧ —轴 力 图一力 矩 或 力 偶 ( 外 加 荷 载 )育 矩 图 ⑧:画 在 受拉 侧,不 标 明 正、负号剪 力 图 ⑨:标 明 正、负 号。正、负 号 规 定 为:使 杆 件 顺时 针 转 动 为 正 ( 或 左 上右下 为 正 );使 杆件逆 时针转动 为负( 或左 下 右 上 为 负 )。一仁里 州Q仁e s旦 e e }QQ.甲Q’t轴 力图 L:使杆件受 拉 为 正,受 压 为 负 ( 拉 正 压 负 ) 即:N_.一 鱼 一 一N N一止 旦 一 ~N结 构 及 荷载 ( 受力图 ) ) )L ⑨简支 梁啊 鳄P ,2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2位 拉 立阅 姗 鳄! ! } } ! ! } 川皿旧拼 叮 正 士叫 益P 尹 e e e卜 子 才廊 而而 姗” ”曦咧去 一一 一 形中1 2 2 2! ! ! ! ! ! ! ,11,} 川11 目川 }} 1!1 l l ll l l l l l l {}}l ,1!1l 州11{ 川川) ) )悬 储 梁嘛 默而~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~户」皿 口而m 腼 施}} }}} } 川!! 州}l } {l} 川 f 回卜 一 曰 之 一一 一 带赢用俐 珊一厂卜 一 几 - - - - - - -倒人. `华外 伸梁( 或伸 臂 梁与 悬 臂 梁的合成。即:C 可 视 为 简 支 梁+年 -毛知可、` 、 了 ` 少2.利用 常 见 单 跨静定梁 内 力 图,用至加 法原理记 住 几种常见 单跨 静 定 梁 内力 图,再 根 据 叠加 法 原 理,可 以 更 快 更 有效 地作 出 内力 图。常 见 几 种单 跨 静 定 梁 在几 种常 见 单 一 荷 载 作 用 下 的 内 力图:其 中m 为悬 臂梁 B C 中 的 M 。

　。3.利 用 M、Q 与 外 荷载 P ( q ) 之间 的关系据 M、Q 与外荷 载( P或 q ) 之间 的 数学 关 系骼 司骼二 一 q ( x )作 者简介:黄瑞 梅 (19 7 2一 ),女,福 建 华 安 人,讲 师。粤二 一 q ( :,Q人 “

　快速作 结 构 内力 图的 方 法1 1 33.1无荷载 区 段qx ( ) =0:贝嚼 为一 与杆 轴 线 平行 的 直 线,对于 横梁 ② 为水 平 线;L 为一 斜线( 斜 率 为) Q,且当 Q > o 时,L 自 左往 右 向 下 倾斜;当 Q < 0 时,L 自左 往 右 向 上 倾斜。3.2 均布 荷载 区 段 即 q ( x )二 c( 常数 ):⑨ 为一斜线,且 自左 向 右 倾斜方 向与 q 的 方 向一 致 ;L 为 一 抛物线,且抛 物线弯曲方 向 同 q 的 方 向。3.3 集中荷 载 P 作用 处:② 有突 变,突变值等 于 P 值,_ 且自左往 右突 变 方 向 同 P 的方向;L 有转折( 即 有 折 角 )。3.4 集中力偶 m 作 用 处:⑨ 不 变,@有 突 变,突 变值 为m,具 体图 形可 参 见 常 见 单跨 静 定梁 的 内力图。4.利用 结构 的 约 束 及 荷 载 与 结 构 之 间 的关系 特 性4.1 铰 处 如 果 没有外 加 力偶作 用,则 M二 O ,若亦 无外 加 集中力,则 ⑧ 保 持 原 有 趋势;若有 外加 集 中力( 或支座 ),则⑧ 有 折 角,⑨ 有 突 变。4.2 连 接 两 根杆 件 的 刚 结 点,若无 力偶 作 用,则刚结 点 等大小、同 侧 受拉 地 传 递 弯 矩。如已 知 P二 4 q a、m = q a Z,利用 叠加法,可 分 为 ( a )、( b )、( d ) 三种 单嗬 载。A、B 为 铰,故 ( a )、( d ) 中 均 有 M人 二 M 。

　=0,( b ) 中 呱二 0 、M B = M ( 上 侧 受拉,有 突 变 ),(a)+( b ) 可 得:呱 = o琉 = 址 (a)十 M 日 ( b )=告 q aZ ( 下侧受 拉 )姗 =q a Z (上 侧 受拉 )据 无荷 载段,L为 斜 线可得 c A、c B 均 为直 线。据 此 得椒、施、流 作 L 图,如 图(。

　)(e)+( d )有,呱 二 o施 二 告 qa Z 十音q a , =知a Z ( 下 侧 受 拉 )琉 二 q a Z据 BA C 上 为 均 布荷载、故 为 抛 物 线,作 图如( e )。注 意:AC 段抛物 线 的基 线 为 A C’B C 段抛物 线 的基 线 为 BC’5.2 作 图 示 结 构弯矩 图厂C则 M B^二 M c B。且 同为 外侧 或同为 内侧受拉,即 若 B A 左侧 受拉,则 B C 上侧 受 拉( 外侧 ):若 BA 右 侧 受拉,则 B C 下 侧 受拉( 内 侧 )。4.3 结构 与 集中力 作 用 线 或其 延长 线相交 的 点处,该 作 用力 在 该点 处 的 弯 矩 M 为 O。如卜 厂·李 一 一 主 一.J厂贝 、_ 。P 作 用线延长过 E 点,故 M。

　二 0P 作 用线平 行 于 BC、垂 直 于 c D、B A。C、B 为 连 接 两 杆 件 刚结 点据 此 可 快 速 作 ⑧ 如 图:5.3 作 图 示 ⑧、⑨4.4 力作 用 与 杆件轴线 平行 时,该 力 对 杆 件 的 弯 矩 图L 不 影 响,即⑧ 保 持原 有 趋 势,当 该 杆 不再 受其 他力 时,L 为 一 与杆轴 线 平 行 的 直线。如「r。p〔 「P 作 用 线与 AB 平行,故 P 对 AB 的 弯矩 图 不 影响。特 殊 的,当 力 作 用 线 与该杆 件 轴线 重 合 时,该 力 对 此杆不 产 生 弯矩,即 M = 0。当 力 作用 线 与 杆 轴线 正 交 时,该 力 对 该 杆件 的弯 矩 值 产生影响,且满足第三 点中 所 述 关系。当 力 作用 线 与杆轴线斜交 时,可分解 为正 交与 平 行。5.例题5.1 作图 示结 构弯 矩 图由 结构几何分析 可知:A C D 为基本部分、D E F 为 附 加部 分。据 此 作 层 次 图 ( b )。DEF 为外 伸 梁、E 为 支 座有 支 反 力、D 为铰,据此 可 先 作 附加部 分 ⑧ 如 图 (b )。D 为铰,无外荷载,基本 部分 A B D 亦 可 视 为外伸梁。C 处 为 支座 有 反 力、B 处 有外荷载2 P,据 此作 L,如图 (c)。c’D 为 D E`延 长,由 耐 d 间 ( x )据⑧ 作 ⑨ 如 图( d ){ { { 1 1 ! ! ! 曰 ! 奋l l l. . . {1 1 1参 考 文 献:[ l ]杨 天 祥 主编.结 构 力 学 [ M ].北 京:高 等 教 育 出 版 社,1 9 9 2.[ 2 ] 胡兴 国.吴 莹主编.结 构 力 学 [ M ].武 汉:武 汉 理 工 大 学 出版 社,2 00 2.2.[ 3 j 雷 克 昌 主 编 结 构 力 学 〔 M 〕.北 京:水 利 水 电出 版 社,1 9 9 8.「 4 ] 陈 永 龙 主编.建 筑 力 学 [ M ].北 京:高 教 出 版 社,2 0 0 1.

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